離子束加工技術是一種使用離子束對材料進行成形或改性的加工方法，是一種原子級加工技術。 離子注入，離子沉積和強脈沖離子束材料改性等離子束加工技術已在工業中得到廣泛應用。 當前，正在研究和開發一些新的離子束處理技術。

  離子束處理技術是1970年開發的一種特殊處理方法。 它具有加工精度高，易于精確控制，污染少，加工應力和變形最小的特點。 目前，離子束材料表面改性技術的研究，推廣和應用已取得了很大的成就。 其標志之一是離子注入微細加工技術的發展。 離子注入微細加工技術已成為VLSI微細加工的關鍵技術，推動了現代電子技術產業的快速發展。 離子材料改性的工程問題是離子注入會導致材料表面成分和微觀結構的變化以及新化合物的沉淀，從而導致材料表面（硬度），摩擦學和化學性質的變化。

  離子束可控地形成材料表面成分的變化，結構變化和溫升效應是修飾離子束材料的三把利劍。 其構造的工藝特性遠遠優于其他工藝。 因此，離子束表面處理具有誘人的研究和應用前景。

  離子束加工技術在相對較低的壓力下，從離子源中取出的氨離子以一定角度轟擊目標。 由于被轟擊離子的能量約為Ikev，因此靶的穿透深度可忽略不計，并且級聯碰撞僅發生在靶上。 在具有幾個原子厚度的表面層中，大量原子逸出目標材料的表面并成為濺射的粒子，其能量約為10ev。

  由于真空室內的背景氣體分子相對較少，因此濺射粒子的自由路徑很大。 這些顆粒以直線到達基板并沉積在基板上以形成薄膜。 由于大多數濺射粒子的能量只能穿透并使薄膜致密，因此有足夠的能量置換其他粒子，從而損壞了薄膜； 由于背景壓力低，該膜污染極低。 而且，冷的基材還防止了由熱激發引起的膜中晶粒生長的擴散。

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